飛行時間二次離子質(zhì)譜儀 PHI nanoTOF3+ 

特征

先進(jìn)的多功能TOF-SIMS具有更強(qiáng)大的微區(qū)分析能力，更加出色的分析精度 

飛行時間二次離子質(zhì)譜儀

新一代 TRIFT 質(zhì)量分析器，更好的質(zhì)量分辨率 

適用于絕緣材料的無人值守自動化多樣品分析 

離子束技術(shù) 

平行成像 MS/MS 功能，助力有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)分析 

多功能選配附件

TRIFT分析器適用于各種形狀的樣品 寬帶通能量+寬立體接收角度

寬帶通能量、寬立體接受角-適用于各種形貌樣品分析

主離子束激發(fā)的二次離子會以不同角度和能量從樣品表面飛 出，特別是對于有高度差異和形貌不規(guī)則的樣品，即使相同 的二次離子在分析器中會存在飛行時間上的差異，因此導(dǎo)致 質(zhì)量分辨率變差，并對譜峰形狀和背景產(chǎn)生影響。 TRIFT質(zhì)量分析器可以同時對二次離子發(fā)射角度和能量進(jìn)行 校正， 保證相同二次離子的飛行時間一致， 所以TRIFT兼顧 了高質(zhì)量分辨率和高檢測靈敏度優(yōu)勢，而且對于不平整樣品 的成像可以減少陰影效應(yīng)。

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實(shí)現(xiàn)高精度分析的一次離子設(shè)備

先進(jìn)的離子束技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量分辨

PHI nanoTOF3+ 能夠提供高質(zhì)量分辨和高空間分辨的TOF-SIMS分析:在高質(zhì)量分辨模式下，其空間分辨率優(yōu)于500nm ;在高空間分辨模式下，其空間分辨模式優(yōu)于50 nm。通過結(jié)合強(qiáng)度高離子源、高精度脈沖組件和高分辨率質(zhì)量分析器，可以實(shí)現(xiàn)低噪聲、高靈敏度和高質(zhì)量分辨率的測量;在這兩種模式下，只需幾分鐘的測試時間，均可完成采譜分析。

前所未見的無人值守TOF-SIMS自動化多樣品分析 -適用于絕緣材料

PHI nanoTOF3+搭載全新開發(fā)的自動化多樣品分析功能，程序可根據(jù) 樣品導(dǎo)電性自動調(diào)整分析時所需的高度與樣品臺偏壓， 可以對包括 絕緣材料在內(nèi)的各類樣品進(jìn)行無人值守自動化TOF-SIMS分析。 整個分析過程非常簡單， 只需三步即可對多個樣品進(jìn)行表面或深度 分析 ：①在進(jìn)樣室拍攝樣品臺照片 ；②在進(jìn)樣室拍攝的照片上分析點(diǎn) ；③按下分析鍵，設(shè)備自動開始分析。 過去，必須有熟練的操作人員專門操作儀器才能進(jìn)行TOF-SIMS分析 ； 現(xiàn)在，無論操作人員是否熟練，都可以獲得高質(zhì)量的分析數(shù)據(jù)

標(biāo)配自動化傳樣系統(tǒng)

PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表現(xiàn)優(yōu)異的全自動樣品傳送系 統(tǒng) ：樣品尺寸可達(dá)100mmx100 mm， 而且分析室標(biāo)配內(nèi)置 樣品托停放裝置 ；結(jié)合分析序列編輯器（Queue Editor），可以實(shí)現(xiàn)對大量樣品的全自動連續(xù)測試。

采用新開發(fā)的脈沖氳離子設(shè)備獲得證書的自動荷電雙束中和技術(shù)

TOF-SIMS測試的大部分樣品為絕緣樣品，而絕緣樣品表面 通常有荷電效應(yīng)。PHI nanoTOF3+ 采用自動荷電雙束中和 技術(shù)，通過同時發(fā)射低能量電子束和低能量氳離子束，可實(shí)現(xiàn)對任何類型和各種形貌的絕緣材料的真正自動荷電中和，無需額外的人為操作。 

*需要選配Ar離子設(shè)備

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遠(yuǎn)程訪問實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程控制儀器

PHI nanoTOF3+允許通過局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)訪問儀器。 只需將樣品臺放入進(jìn)樣室， 就可以對進(jìn)樣、換樣、測試和分析等所有操作進(jìn)行遠(yuǎn)程控制。我們的專業(yè)人員可以對儀器進(jìn)行遠(yuǎn)程診斷。

*如需遠(yuǎn)程診斷，請聯(lián)系我們的客戶服務(wù)人員。?

從截面加工到截面分析： 只需一個離子源即可完成

標(biāo)配離子設(shè)備FIB(Focused lon Beam)功能

在PHI nanoTOF3+中， 液態(tài)金屬離子具設(shè)備備 FIB功能， 可以使用單個離子設(shè)備對樣品進(jìn)行 橫截面加工和橫截面TOF-SIMS分析。通過操 作計(jì)算機(jī)， 可以快速輕松地完成從FIB處理 到TOF-SIMS分析的全過程。此外，可在冷卻 條件下進(jìn)行FIB加工。 

在選配Ga源進(jìn)行FIB加工時，可以獲得FIB加 工區(qū)域的3D影像 ；Ga源還可以作為第二分析 源進(jìn)行TOF-SIMS分析。

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通過平行成像MS/MS進(jìn)行 分子結(jié)構(gòu)分析[選配]

MS/MS平行成像 同時采集MS1/MS2數(shù)據(jù)

在TOF-SIMS測試中，MS1質(zhì)量分析分析器接收從樣品表面 產(chǎn)生的所有二次離子碎片，對于質(zhì)量數(shù)接近的大分子離子， MS1譜圖難以區(qū)分。通過安裝串聯(lián)質(zhì)譜MS2，對于特定離子 進(jìn)行碰撞誘導(dǎo)解離生產(chǎn)特征離子碎片，MS2譜圖可以實(shí)現(xiàn) 對分子結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步鑒定。

PHI nanoTOF3+具備串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS平行成像功能， 可以同時獲取分析區(qū)域的MS1和MS2數(shù)據(jù)，為有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)解析提供了強(qiáng)有力的工具。

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多樣化配置充分發(fā)揮TOF-SIMS潛力

可拆卸手套箱：可安裝在樣品導(dǎo)入室

可以選配直接連接到樣品進(jìn)樣室的可拆卸手套箱。 鋰離子電池和有機(jī) OLED等容易與大氣發(fā)生反應(yīng)的樣品可以直接安裝在樣品臺上。此外，在 冷卻分析后更換樣品時，可以防止樣品表面結(jié)霜。

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氬團(tuán)簇離子源（Ar-GCIB）：有機(jī)材料深度剖析

使用氬團(tuán)簇離子源(Ar-GCIB)能夠有效減少濺射過程中對有機(jī)材料的破壞，從而在刻蝕過程中保留有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)信息。

Cs源和Ar/O2源：無機(jī)材料深度剖析

可根據(jù)測試需求選擇不同的離子源提高二次離子產(chǎn)額，使用Cs源可增強(qiáng)負(fù)離子產(chǎn)額 ；O2源可增強(qiáng)正 離子產(chǎn)額